DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP25H18DLFDE-7 за ціною від 36.78 грн до 118.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP25H18DLFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP25H18DLFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V |
на замовлення 299348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP25H18DLFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP25H18DLFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP25H18DLFDE-7 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |