Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP26M1UFG-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -56A, Pulsed drain current: -110A, Power dissipation: 3W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 164nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMP26M1UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP26M1UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| DMP26M1UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -56A Pulsed drain current: -110A Power dissipation: 3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP26M1UFG-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMP26M1UFG-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.