DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 21.95 грн |
| 4000+ | 19.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP26M7UFG-7 за ціною від 19.59 грн до 91.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP26M7UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP26M7UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V |
на замовлення 4288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP26M7UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP26M7UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP26M7UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Drain current: -14.5A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 156nC On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 2.3W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A |
товару немає в наявності |