Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP26M7UFG-7
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

DMP26M7UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.22 грн
4000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP26M7UFG-7 за ціною від 22.48 грн до 97.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : DIODES INC. DMP26M7UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.04 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.11 грн
10+60.36 грн
100+41.05 грн
500+32.46 грн
1000+26.01 грн
2000+23.56 грн
4000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.98 грн
10+54.03 грн
100+35.66 грн
500+26.04 грн
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : DIODES INC. DMP26M7UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.27 грн
14+65.16 грн
100+43.04 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Inc 2977dmp26m7ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP26M7UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.