Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP26M7UFG-7
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

DMP26M7UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.02 грн
4000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP26M7UFG-7 за ціною від 22.27 грн до 87.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.45 грн
10+59.79 грн
100+40.66 грн
500+32.15 грн
1000+25.77 грн
2000+23.33 грн
4000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.15 грн
10+53.60 грн
100+35.34 грн
500+25.81 грн
1000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Виробник : Diodes Inc 2977dmp26m7ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP26M7UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.