DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 23.84 грн |
| 4000+ | 21.16 грн |
| 6000+ | 21.12 грн |
| 10000+ | 18.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP26M7UFG-7 за ціною від 21.45 грн до 89.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP26M7UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP26M7UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V |
на замовлення 26006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP26M7UFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP26M7UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP26M7UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |