Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP26M7UFG-7
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

DMP26M7UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.14 грн
4000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

Інші пропозиції DMP26M7UFG-7 за ціною від 22.54 грн до 83.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+51.50 грн
100+33.99 грн
500+24.82 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated DMP26M7UFG.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 DIODES INC. DMP26M7UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG-7 DIODES INC. DMP26M7UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG.pdf
DMP26M7UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+51.50 грн
100+33.99 грн
500+24.82 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG.pdf
DMP26M7UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG.pdf
DMP26M7UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7 DMP26M7UFG.pdf
DMP26M7UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.