Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2900UFB-7B
DMP2900UFB-7B

DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated

DMP2900UFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.77 грн
20000+2.42 грн
30000+2.30 грн
50000+2.02 грн
70000+1.94 грн
100000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2900UFB-7B за ціною від 2.82 грн до 17.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2900UFB-7B DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated DMP2900UFB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 108507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
31+9.92 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7B DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated DMP2900UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7B DMP2900UFB.pdf
DMP2900UFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 108507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
31+9.92 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7B DMP2900UFB.pdf
DMP2900UFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.