DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 128818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.42 грн |
39+ | 7.77 грн |
100+ | 5.20 грн |
500+ | 3.72 грн |
1000+ | 3.33 грн |
2000+ | 2.99 грн |
5000+ | 2.58 грн |
10000+ | 2.35 грн |
50000+ | 1.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMP2900UFB-7B за ціною від 2.44 грн до 24.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP2900UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|