Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3007LSS-13
DMP3007LSS-13

DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated

DMP3007LSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.16 грн
10+64.55 грн
100+42.87 грн
500+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP3007LSS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3007LSS-13 DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645109_1-2542977.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13 DMP3007LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006645109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13 DMP3007LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006645109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13 DIOD_S_A0006645109_1-2542977.pdf
DMP3007LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13 DIOD-S-A0006645109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3007LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13 DIOD-S-A0006645109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3007LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.