DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.44 грн |
| 10+ | 51.66 грн |
| 100+ | 34.05 грн |
| 500+ | 24.82 грн |
| 1000+ | 22.53 грн |
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Технічний опис DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: VDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3007SCG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DMP3007SCG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 24629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMP3007SCG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMP3007SCG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP3007SCG-7 |
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Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 24629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP3007SCG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
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на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP3007SCG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



