DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 37.20 грн |
| 4000+ | 35.65 грн |
| 6000+ | 35.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3008SFGQ-7 за ціною від 31.54 грн до 115.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3008SFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: -7.1A Kind of channel: enhancement On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 0.9W Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: -7.1A Kind of channel: enhancement On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 0.9W Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3008SFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|