DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 34.65 грн |
| 4000+ | 33.20 грн |
| 6000+ | 32.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Інші пропозиції DMP3008SFGQ-7 за ціною від 34.38 грн до 154.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3008SFGQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Drain current: -7.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI®3333-8 On-state resistance: 25mΩ |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3008SFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DMP3008SFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 38.10 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.58 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 43.70 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.45 грн |
| 10+ | 72.65 грн |
| 100+ | 53.62 грн |
| 500+ | 39.79 грн |
| 1000+ | 36.40 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 25mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 25mΩ
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 140.74 грн |
| 10+ | 73.03 грн |
| 24+ | 40.94 грн |
| 64+ | 38.71 грн |
| 1000+ | 37.22 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.77 грн |
| 10+ | 76.87 грн |
| 100+ | 55.48 грн |
| 500+ | 43.98 грн |
| 1000+ | 39.14 грн |
| 2000+ | 35.69 грн |
| 4000+ | 34.38 грн |
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP3008SFGQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)