DMP3008SFGQ-7

DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated


DMP3008SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.46 грн
4000+33.98 грн
6000+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8.

Інші пропозиції DMP3008SFGQ-7 за ціною від 28.90 грн до 109.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3008SFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.28 грн
10+59.09 грн
100+43.51 грн
500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ.pdf MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.38 грн
10+71.65 грн
100+46.91 грн
500+37.06 грн
1000+33.97 грн
2000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.97 грн
10+74.36 грн
100+54.88 грн
500+40.72 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ.pdf
DMP3008SFGQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.28 грн
10+59.09 грн
100+43.51 грн
500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ.pdf
DMP3008SFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.38 грн
10+71.65 грн
100+46.91 грн
500+37.06 грн
1000+33.97 грн
2000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ.pdf
DMP3008SFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.97 грн
10+74.36 грн
100+54.88 грн
500+40.72 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.