DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated


DMP3010LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.51 грн
5000+29.08 грн
7500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP3010LPS-13 за ціною від 32.77 грн до 119.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3010LPS-13 DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated DMP3010LPS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.47 грн
10+72.76 грн
100+48.61 грн
500+35.90 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13 DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated ds32239-310945.pdf MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13 DMP3010LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.47 грн
10+72.76 грн
100+48.61 грн
500+35.90 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13 ds32239-310945.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.