
DMP3011SFVWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 21.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3011SFVWQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 980mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3011SFVWQ-7 за ціною від 18.43 грн до 80.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3011SFVWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMP3011SFVWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP3011SFVWQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |