DMP3011SSS-13 Diodes Incorporated


DMP3011SSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.21 грн
5000+20.68 грн
7500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3011SSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP3011SSS-13 за ціною від 24.23 грн до 78.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Diodes Incorporated DMP3011SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.27 грн
10+54.92 грн
100+36.34 грн
500+26.63 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Diodes Incorporated DMP3011SSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.27 грн
10+54.92 грн
100+36.34 грн
500+26.63 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.