Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3013SFV-13
DMP3013SFV-13

DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated

DMP3013SFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.06 грн
6000+11.93 грн
9000+11.27 грн
15000+10.29 грн
21000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP3013SFV-13 за ціною від 14.82 грн до 56.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated DMP3013SFV.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.44 грн
10+34.84 грн
100+22.82 грн
500+16.44 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated DMP3013SFV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 14998 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV.pdf
DMP3013SFV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.44 грн
10+34.84 грн
100+22.82 грн
500+16.44 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV.pdf
DMP3013SFV-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 14998 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3013SFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3013SFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.