на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 11.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3013SFV-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3013SFV-7 за ціною від 10.75 грн до 65.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3013SFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3013SFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 0.94W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3013SFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 0.94W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3013SFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3013SFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V |
на замовлення 14435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3013SFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3013SFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3013SFV-7 транзистор Код товару: 214611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
DMP3013SFV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3013SFV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |