DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.94 грн |
| 5000+ | 25.81 грн |
| 7500+ | 24.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3015LSS-13 за ціною від 26.09 грн до 109.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3015LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3015LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3015LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V |
на замовлення 16099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3015LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Channel 2.5W |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3015LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3015LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.75A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 60.4nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3015LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.75A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 60.4nC |
товару немає в наявності |