DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.66 грн |
| 5000+ | 24.68 грн |
| 7500+ | 23.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Інші пропозиції DMP3015LSS-13 за ціною від 27.98 грн до 103.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3015LSS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V |
на замовлення 16099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP3015LSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Channel 2.5W |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMP3015LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMP3015LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP3015LSS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
на замовлення 16099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.46 грн |
| 10+ | 63.10 грн |
| 100+ | 41.85 грн |
| 500+ | 30.73 грн |
| 1000+ | 27.98 грн |
| DMP3015LSS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Channel 2.5W
MOSFETs P-Channel 2.5W
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP3015LSS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP3015LSS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)