DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.30 грн |
| 6000+ | 12.12 грн |
| 9000+ | 11.42 грн |
| 15000+ | 10.49 грн |
| 21000+ | 10.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP3018SFV-13 за ціною від 14.05 грн до 58.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3018SFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3018SFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V |
на замовлення 48699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP3018SFV-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMP3018SFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |