DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3018SSS-13 за ціною від 15.88 грн до 74.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3018SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3018SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3018SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3018SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3018SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP3018SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP3018SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -90A; 1.7W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -90A Power dissipation: 1.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |