DMP3018SSS-13

DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated


DMP3018SSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP3018SSS-13 за ціною від 15.16 грн до 49.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : DIODES INC. DMP3018SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+20.38 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : DIODES INC. DMP3018SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.87 грн
21+40.19 грн
100+27.65 грн
500+20.38 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3018SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
10+40.69 грн
100+28.06 грн
500+20.90 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691160_1-2543489.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.52 грн
10+42.22 грн
100+25.45 грн
500+21.26 грн
1000+18.10 грн
2500+15.60 грн
5000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : Diodes Inc dmp3018sss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3018sss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3018SSS.pdf DMP3018SSS-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.