DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 20.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3021SFVWQ-7 за ціною від 16.15 грн до 76.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3021SFVWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3021SFVWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3021SFVWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
DMP3021SFVWQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |