DMP3026SFDF-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 10.39 грн |
| 20000+ | 9.28 грн |
| 30000+ | 9.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3026SFDF-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3026SFDF-13 за ціною від 9.97 грн до 52.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3026SFDF-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3026SFDF-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3026SFDF-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 7710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3026SFDF-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V |
на замовлення 97522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.3A; Idm: -50A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.3A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP3026SFDF-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.3A; Idm: -50A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.3A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |