Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3026SFDF-7
DMP3026SFDF-7

DMP3026SFDF-7 Diodes Incorporated

DMP3026SFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
6000+10.83 грн
9000+10.32 грн
15000+9.15 грн
21000+8.84 грн
30000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3026SFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3026SFDF-7 за ціною від 10.62 грн до 54.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3026SFDF-7 DMP3026SFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3026SFDF.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
на замовлення 67656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.70 грн
10+32.14 грн
100+20.72 грн
500+14.82 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7 DMP3026SFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865530_1-2543519.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.17 грн
10+36.36 грн
100+21.92 грн
500+16.72 грн
1000+14.20 грн
3000+12.75 грн
6000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3026SFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3026SFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.3A; Idm: -50A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.