DMP3028LFDE-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
на замовлення 520000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 9.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3028LFDE-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3028LFDE-13 за ціною від 10.27 грн до 50.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3028LFDE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A |
на замовлення 6582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V |
на замовлення 528754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3028LFDE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3028LFDE-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP3028LFDE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |