на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3028LK3-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3028LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3028LK3-13 за ціною від 14.35 грн до 52.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3028LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 27A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V |
на замовлення 102500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3028LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 27A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V |
на замовлення 104785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss |
на замовлення 17341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP3028LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP3028LK3-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |