DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.47 грн |
| 5000+ | 13.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3028LSD-13 за ціною від 14.35 грн до 57.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 87340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 16125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3028LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -30A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -30A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |