DMP3035SFG-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -70A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 35.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 42.33 грн |
| 13+ | 30.81 грн |
| 72+ | 12.89 грн |
| 197+ | 12.18 грн |
| 2000+ | 11.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3035SFG-7 DIODES INCORPORATED
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP3035SFG-7 за ціною від 10.19 грн до 64.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
DMP3035SFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -70A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Gate charge: 35.5nC On-state resistance: 29mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3035SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3035SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3035SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2 |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3035SFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-Pin PowerDI 3333-8 T/R |
товару немає в наявності |