Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3036SFG-13
DMP3036SFG-13

DMP3036SFG-13 Diodes Incorporated

DMP3036SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.68 грн
6000+13.91 грн
9000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3036SFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3036SFG-13 за ціною від 13.53 грн до 67.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3036SFG-13 DMP3036SFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3036SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.04 грн
10+39.13 грн
100+25.84 грн
500+18.68 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13 DMP3036SFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3036SFG.pdf MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.19 грн
10+41.94 грн
100+23.71 грн
500+18.62 грн
1000+16.80 грн
3000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3036SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -25A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.