DMP3036SFV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.47 грн |
| 4000+ | 13.63 грн |
| 6000+ | 12.98 грн |
| 10000+ | 11.50 грн |
| 14000+ | 11.10 грн |
| 20000+ | 10.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3036SFV-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP3036SFV-7 за ціною від 12.88 грн до 71.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3036SFV-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMP3036SFV-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMP3036SFV-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V |
на замовлення 20865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMP3036SFV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Gate charge: 16.5nC Polarisation: unipolar Drain current: -7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 29mΩ |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| DMP3036SFV-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.85 грн |
| DMP3036SFV-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.74 грн |
| 10+ | 37.83 грн |
| 100+ | 22.96 грн |
| 500+ | 17.96 грн |
| 1000+ | 14.57 грн |
| 2000+ | 12.88 грн |
| DMP3036SFV-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V
на замовлення 20865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.32 грн |
| 10+ | 36.63 грн |
| 100+ | 23.74 грн |
| 500+ | 17.07 грн |
| 1000+ | 15.39 грн |
| DMP3036SFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 29mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 71.56 грн |
| 13+ | 33.55 грн |
| 25+ | 30.23 грн |
| 50+ | 27.66 грн |
| 60+ | 15.86 грн |
| 165+ | 15.03 грн |





