DMP3050LSS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.10 грн |
| 500+ | 13.62 грн |
| 1000+ | 11.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3050LSS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP3050LSS-13 за ціною від 11.26 грн до 56.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3050LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3050LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-CH MOSFET |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3050LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3050LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3050LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3050LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; Idm: -30A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |