DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated


DMP3056LDM.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 96997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.08 грн
6000+8.00 грн
9000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMP3056LDM-7 за ціною від 8.16 грн до 45.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LDM-7 DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf MOSFETs P-Channel 1.25W
на замовлення 13551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.86 грн
12+29.03 грн
100+16.46 грн
500+12.52 грн
1000+11.25 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7 DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 97587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.89 грн
12+27.50 грн
100+17.66 грн
500+12.58 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7 DMP3056LDM.pdf
DMP3056LDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Channel 1.25W
на замовлення 13551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.86 грн
12+29.03 грн
100+16.46 грн
500+12.52 грн
1000+11.25 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDM-7 DMP3056LDM.pdf
DMP3056LDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
на замовлення 97587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.89 грн
12+27.50 грн
100+17.66 грн
500+12.58 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.