DMP3056LDMQ-7 Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LDMQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3056LDMQ-7 за ціною від 14.29 грн до 66.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3056LDMQ-7 | DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26 Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Drain current: -3.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT26 On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMP3056LDMQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 56.38 грн |
| 13+ | 34.15 грн |
| 25+ | 28.92 грн |
| 50+ | 25.26 грн |
| 100+ | 21.77 грн |
| 500+ | 15.37 грн |
| 1000+ | 14.29 грн |
| DMP3056LDMQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.79 грн |
| 10+ | 40.24 грн |
| 25+ | 33.71 грн |
| 50+ | 27.77 грн |
| 100+ | 24.53 грн |