DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.37 грн |
| 6000+ | 13.60 грн |
| 9000+ | 12.99 грн |
| 15000+ | 11.55 грн |
| 21000+ | 11.17 грн |
| 30000+ | 10.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3056LDMQ-7 за ціною від 11.86 грн до 63.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3056LDMQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP3056LDMQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 41904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 3K |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP3056LDMQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.70 грн |
| DMP3056LDMQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.43 грн |
| 15+ | 27.69 грн |
| 100+ | 17.58 грн |
| 500+ | 13.27 грн |
| 1000+ | 11.86 грн |
| DMP3056LDMQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 38.28 грн |
| 100+ | 24.84 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| DMP3056LDMQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





