Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3056LDMQ-7
DMP3056LDMQ-7

DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated

DMP3056LDM.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.28 грн
6000+10.83 грн
9000+10.32 грн
15000+9.15 грн
21000+8.84 грн
30000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP3056LDMQ-7 за ціною від 10.38 грн до 52.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3056LDMQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.66 грн
15+27.83 грн
100+17.67 грн
500+13.33 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.72 грн
11+31.05 грн
100+17.65 грн
500+13.43 грн
1000+11.98 грн
3000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.18 грн
10+31.27 грн
100+20.15 грн
500+14.40 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Zetex 122472262372909ds31449.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.