Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3056LDMQ-7
DMP3056LDMQ-7

DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated

DMP3056LDM.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.47 грн
6000+11.00 грн
9000+10.49 грн
15000+9.30 грн
21000+8.98 грн
30000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP3056LDMQ-7 за ціною від 12.11 грн до 66.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3056LDMQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.40 грн
15+28.27 грн
100+17.95 грн
500+13.54 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.01 грн
10+31.77 грн
100+20.47 грн
500+14.63 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.29 грн
10+40.68 грн
100+23.00 грн
500+17.65 грн
1000+15.89 грн
3000+13.64 грн
6000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ.pdf
DMP3056LDMQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.40 грн
15+28.27 грн
100+17.95 грн
500+13.54 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDM.pdf
DMP3056LDMQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.01 грн
10+31.77 грн
100+20.47 грн
500+14.63 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDM.pdf
DMP3056LDMQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.29 грн
10+40.68 грн
100+23.00 грн
500+17.65 грн
1000+15.89 грн
3000+13.64 грн
6000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.