DMP3056LDMQ-7

DMP3056LDMQ-7 DIODES INCORPORATED


DMP3056LDMQ.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.03 грн
14+28.04 грн
79+11.19 грн
217+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LDMQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP3056LDMQ-7 за ціною від 9.43 грн до 57.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.81 грн
10+30.99 грн
100+19.99 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3056LDMQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.63 грн
10+34.95 грн
79+13.42 грн
217+12.79 грн
3000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833618_1-2542126.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.93 грн
10+33.80 грн
100+19.30 грн
500+14.80 грн
1000+13.21 грн
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Zetex 122472262372909ds31449.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Inc 122472262372909ds31449.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDMQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LDM.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.