Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > DMP3056LSD-13
DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13

ds31420.pdf
Код товару: 116130
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMP3056LSD-13 за ціною від 10.86 грн до 91.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R Транзистори
на замовлення 578 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
72+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated ds31420.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated ds31420.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.26 грн
10+53.68 грн
25+45.09 грн
50+37.26 грн
100+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INCORPORATED DMP3056LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 65mΩ
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.32 грн
10+46.33 грн
50+39.38 грн
66+14.58 грн
180+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated ds31420.pdf MOSFETs PMOS-DUAL
на замовлення 422 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+91.81 грн
10+55.67 грн
100+31.77 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R Транзистори
на замовлення 578 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 1561ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 1561ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.26 грн
10+53.68 грн
25+45.09 грн
50+37.26 грн
100+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 65mΩ
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.32 грн
10+46.33 грн
50+39.38 грн
66+14.58 грн
180+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs PMOS-DUAL
на замовлення 422 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.81 грн
10+55.67 грн
100+31.77 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.