на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LSD-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3056LSD-13 за ціною від 13.09 грн до 81.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.1A On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar |
на замовлення 2571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.1A On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS-DUAL |
на замовлення 5122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
DMP3056LSD-13 Код товару: 116130
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3056LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |