Продукція > DIODES ZETEX > DMP3056LSDQ-13
DMP3056LSDQ-13

DMP3056LSDQ-13 Diodes Zetex

1561ds31420.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LSDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP3056LSDQ-13 за ціною від 16.01 грн до 71.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+22.28 грн
500+20.82 грн
1000+20.47 грн
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
497+24.88 грн
501+24.69 грн
505+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+25.70 грн
250+23.62 грн
500+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.98 грн
500+28.33 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.28 грн
10+51.43 грн
100+30.68 грн
500+24.53 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.28 грн
10+54.58 грн
100+28.34 грн
500+24.07 грн
1000+22.70 грн
2500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.36 грн
15+58.63 грн
100+35.98 грн
500+28.33 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 Виробник : Diodes Inc 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3056LSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.