DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.26 грн |
| 5000+ | 11.73 грн |
| 7500+ | 11.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3056LSS-13 за ціною від 11.48 грн до 44.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V |
на замовлення 8774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A |
на замовлення 68031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes INC. |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 7,1; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 722 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В; Rds = 45 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3056LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3056LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |