Продукція > DIODES ZETEX > DMP3056LSSQ-13
DMP3056LSSQ-13

DMP3056LSSQ-13 Diodes Zetex

dmp3056lssq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3056LSSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP3056LSSQ-13 за ціною від 9.88 грн до 60.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LSSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.73 грн
5000+11.74 грн
12500+10.41 грн
17500+10.05 грн
25000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. 2918025.pdf Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.90 грн
500+17.39 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. 2918025.pdf Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.00 грн
24+34.41 грн
100+23.90 грн
500+17.39 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3056LSSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.81 грн
10+34.32 грн
100+22.21 грн
500+15.93 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956451_1-2543880.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.90 грн
10+37.64 грн
100+21.45 грн
500+16.55 грн
1000+14.94 грн
2500+11.57 грн
10000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3056lssq.pdf Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmp3056lssq.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3056LSSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3056LSSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.