на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 5.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3085LSD-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.1W, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP3085LSD-13 за ціною від 4.98 грн до 33.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 302500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.1A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A |
на замовлення 230152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.1A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 305656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm Dauer-Drainstrom Id: 3.9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.1W SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm Dauer-Drainstrom Id: 3.9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.1W SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |