на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 5.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3085LSD-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3085LSD-13 за ціною від 5.07 грн до 36.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A |
на замовлення 238512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.1A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.1A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 173447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3085LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |