
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 6.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3085LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3085LSS-13 за ціною від 4.49 грн до 36.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
на замовлення 21623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -4.2A Gate charge: 11nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -4.2A Gate charge: 11nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |