на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.11 грн |
| 6000+ | 20.66 грн |
| 9000+ | 20.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3098LDM-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP3098LDM-7 за ціною від 12.05 грн до 60.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3098LDM-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS-SINGLE |
на замовлення 5491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3098LDM-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP3098LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3098LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP3098LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |