DMP3098LDM-7

DMP3098LDM-7 Diodes Inc


ds31446.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3098LDM-7 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMP3098LDM-7 за ціною від 11.48 грн до 45.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : Diodes Zetex ds31446.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : Diodes Zetex ds31446.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31446.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
10+ 34.42 грн
100+ 23.92 грн
500+ 17.52 грн
1000+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31446.pdf MOSFET PMOS-SINGLE
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.64 грн
10+ 38.23 грн
100+ 23.17 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 14.62 грн
3000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31446.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Mounting: SMD
Case: SOT26
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31446.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V
товар відсутній
DMP3098LDM-7 DMP3098LDM-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31446.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Mounting: SMD
Case: SOT26
товар відсутній