на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3098LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP3098LSS-13 за ціною від 10.47 грн до 53.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
на замовлення 2311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |