DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.96 грн |
| 5000+ | 10.02 грн |
| 12500+ | 9.3 грн |
| 25000+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP3098LSS-13 за ціною від 9.81 грн до 36.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
на замовлення 32470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMP3098LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |