DMP3099LQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 3.78 грн |
20000+ | 3.35 грн |
30000+ | 3.25 грн |
50000+ | 2.94 грн |
70000+ | 2.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3099LQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.08W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP3099LQ-13 за ціною від 3.26 грн до 25.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3099LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 127329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3099LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 7638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Polarisation: unipolar Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -11A Drain current: -2.9A Gate charge: 11nC On-state resistance: 99mΩ Power dissipation: 1.08W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMP3099LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Polarisation: unipolar Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -11A Drain current: -2.9A Gate charge: 11nC On-state resistance: 99mΩ Power dissipation: 1.08W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |