DMP3105LVT-7

DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated


DMP3105LVT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V
на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.56 грн
6000+6.61 грн
9000+6.27 грн
15000+5.52 грн
21000+5.30 грн
30000+5.09 грн
75000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3105LVT-7 за ціною від 5.66 грн до 34.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Виробник : Diodes Inc dmp3105lvt.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3105LVT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V
на замовлення 109784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
15+20.46 грн
100+12.92 грн
500+9.08 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3105LVT.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.76 грн
14+25.55 грн
100+13.83 грн
500+9.49 грн
1000+6.84 грн
3000+6.03 грн
9000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3105LVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.75W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Case: TSOT26
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3105LVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.75W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Case: TSOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.