DMP3125L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.46 грн |
| 6000+ | 4.76 грн |
| 9000+ | 4.50 грн |
| 15000+ | 3.95 грн |
| 21000+ | 3.79 грн |
| 30000+ | 3.63 грн |
| 75000+ | 3.24 грн |
| 150000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3125L-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP3125L-7 за ціною від 3.70 грн до 25.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3125L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 192285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMP3125L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.65W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.145Ω Power dissipation: 0.65W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3125L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V |
на замовлення 292194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

