Продукція > DIODES ZETEX > DMP3125L-7
DMP3125L-7

DMP3125L-7 Diodes Zetex

29dmp3125l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.01 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3125L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP3125L-7 за ціною від 3.16 грн до 25.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3125L-7 DMP3125L-7 Diodes Zetex 29dmp3125l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 Diodes Incorporated DMP3125L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.68 грн
9000+4.43 грн
15000+3.89 грн
21000+3.73 грн
30000+3.58 грн
75000+3.19 грн
150000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 DIODES INCORPORATED DMP3125L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.65W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.145Ω
Power dissipation: 0.65W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 Diodes Incorporated DMP3125L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V
на замовлення 292194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.52 грн
20+15.26 грн
100+9.60 грн
500+6.70 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 Diodes Incorporated DMP3125L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 192285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 Diodes Zetex 29dmp3125l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004145134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004145134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 29dmp3125l.pdf
DMP3125L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.01 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L.pdf
DMP3125L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.38 грн
6000+4.68 грн
9000+4.43 грн
15000+3.89 грн
21000+3.73 грн
30000+3.58 грн
75000+3.19 грн
150000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L.pdf
DMP3125L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.65W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.145Ω
Power dissipation: 0.65W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L.pdf
DMP3125L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V
на замовлення 292194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.52 грн
20+15.26 грн
100+9.60 грн
500+6.70 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DMP3125L.pdf
DMP3125L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 192285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 29dmp3125l.pdf
DMP3125L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DIOD-S-A0004145134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3125L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3125L-7 DIOD-S-A0004145134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3125L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.