Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3130L-7
DMP3130L-7

DMP3130L-7 Diodes Incorporated

DMP3130L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
6000+6.62 грн
9000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3130L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP3130L-7 за ціною від 9.72 грн до 41.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP3130L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 56881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.18 грн
13+24.02 грн
100+15.36 грн
500+10.87 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3130L-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31524-89765.pdf MOSFET 30V 3.5A P-CHANNEL
на замовлення 41982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Виробник : Diodes Inc 4607133332768941dmp3130l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.