Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP31D0U-7
DMP31D0U-7

DMP31D0U-7 Diodes Incorporated

DMP31D0U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.81 грн
6000+5.37 грн
9000+5.14 грн
15000+4.75 грн
21000+4.68 грн
30000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP31D0U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 450mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP31D0U-7 за ціною від 4.76 грн до 29.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP31D0U-7 DMP31D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP31D0U.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
на замовлення 152428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
18+17.54 грн
100+9.04 грн
500+7.48 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP31D0U-7 DMP31D0U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP31D0U.pdf MOSFETs 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A
на замовлення 55112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.21 грн
19+18.35 грн
100+8.20 грн
1000+6.30 грн
3000+5.05 грн
9000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP31D0U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP31D0U.pdf DMP31D0U-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.