Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP31D7L-7
DMP31D7L-7

DMP31D7L-7 Diodes Incorporated

DMP31D7L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.73 грн
6000+3.26 грн
9000+3.09 грн
15000+2.73 грн
21000+2.62 грн
30000+2.51 грн
75000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP31D7L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP31D7L-7 за ціною від 3.97 грн до 14.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP31D7L-7 DMP31D7L-7 Diodes Incorporated DMP31D7L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V
на замовлення 526665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
33+9.25 грн
100+6.16 грн
500+4.42 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP31D7L-7 DMP31D7L-7 Diodes Incorporated DMP31D7L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 40040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP31D7L-7 DMP31D7L.pdf
DMP31D7L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 15 V
на замовлення 526665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
33+9.25 грн
100+6.16 грн
500+4.42 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP31D7L-7 DMP31D7L.pdf
DMP31D7L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 40040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.