DMP32D5SFB-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
на замовлення 1330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.34 грн |
| 20000+ | 4.58 грн |
| 30000+ | 4.51 грн |
| 50000+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP32D5SFB-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP32D5SFB-7B за ціною від 4.76 грн до 25.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP32D5SFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V |
на замовлення 1336136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP32D5SFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP32D5SFB-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.5A 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP32D5SFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -400mA; Idm: -1A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.4A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 1.2W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP32D5SFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -400mA; Idm: -1A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.4A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 1.2W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |