DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.22 грн |
| 5000+ | 28.63 грн |
| 12500+ | 27.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP34M4SPS-13 за ціною від 29.97 грн до 81.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V |
на замовлення 997918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 12861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 6mΩ Drain current: -17A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 127nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 6mΩ Drain current: -17A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 127nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A |
товар відсутній |