DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 2235000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.58 грн |
| 5000+ | 30.07 грн |
| 7500+ | 30.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP34M4SPS-13 за ціною від 33.52 грн до 130.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V |
на замовлення 2236311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 9442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMP34M4SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 127nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMP34M4SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 127nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A |
товару немає в наявності |