Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP4006SPSWQ-13
DMP4006SPSWQ-13

DMP4006SPSWQ-13 Diodes Incorporated

DMP4006SPSWQ-3195285.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R
на замовлення 15262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.55 грн
10+124.42 грн
100+77.50 грн
250+76.65 грн
500+68.21 грн
1000+63.23 грн
2500+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP4006SPSWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP4006SPSWQ-13 за ціною від 64.11 грн до 196.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP4006SPSWQ-13 DMP4006SPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.71 грн
10+122.13 грн
100+83.94 грн
500+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13 DMP4006SPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6855 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP4006SPSWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -92A; Idm: -460A; 3.4W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -460A
Drain current: -92A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.