DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.28 грн |
| 5000+ | 35.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V.
Інші пропозиції DMP4011SK3-13 за ціною від 39.41 грн до 139.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP4011SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2747 pF @ 20 V |
на замовлення 49980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMP4011SK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP4011SK3-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMP4011SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
товару немає в наявності |