на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013LFG-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W, Kind of package: 13 inch reel; tape, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -11A, On-state resistance: 18mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Power dissipation: 2.1W, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Gate charge: 68.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -80A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMP4013LFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4013LFG-13 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMP4013LFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| DMP4013LFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
| DMP4013LFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товару немає в наявності |
||
| DMP4013LFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A |
товару немає в наявності |