на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 22.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013LFG-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm.
Інші пропозиції DMP4013LFG-7 за ціною від 19.46 грн до 99.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V |
на замовлення 212000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF |
на замовлення 75143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V |
на замовлення 215122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Транз. Пол. MOSFET P-Chnl 40 В, 13 мОм, 13,7 А PowerDI3333-8 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerDI®3333-8 Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerDI®3333-8 Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |