
DMP4013LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 24.17 грн |
4000+ | 21.90 грн |
6000+ | 20.97 грн |
10000+ | 19.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP4013LFG-7 за ціною від 22.00 грн до 104.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V |
на замовлення 78275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 54041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 92 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
DMP4013LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMP4013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: 80A; 1W Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |