DMP4013LFGQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.04 грн |
| 6000+ | 20.60 грн |
| 9000+ | 19.94 грн |
| 15000+ | 18.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013LFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP4013LFGQ-13 за ціною від 19.57 грн до 85.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4013LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1071000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1072020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFGQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Application: automotive industry Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Application: automotive industry Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A |
товару немає в наявності |