DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex


dmp4013lfgq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.27 грн
19+ 30.63 грн
25+ 30.52 грн
100+ 25.33 грн
250+ 23.35 грн
500+ 20.49 грн
1000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP4013LFGQ-7 за ціною від 18.22 грн до 72.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+32.99 грн
355+ 32.87 грн
412+ 28.29 грн
414+ 27.15 грн
500+ 22.99 грн
1000+ 18.22 грн
Мінімальне замовлення: 353
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004564640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.15 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP4013LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.08 грн
10+ 50.79 грн
100+ 35.16 грн
500+ 27.58 грн
1000+ 23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004564640_1-2542752.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 56.45 грн
100+ 34.01 грн
500+ 28.43 грн
1000+ 24.25 грн
2000+ 21.52 грн
4000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004564640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.88 грн
13+ 59.76 грн
100+ 38.15 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Inc dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP4013LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP4013LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP4013LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP4013LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP4013LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній