DMP4013SPS-13 Diodes Incorporated


DMP4013SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP4013SPS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W, Kind of package: 13 inch reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -244A, Drain current: -9A, Drain-source voltage: -40V, Gate charge: 67nC, On-state resistance: 23mΩ, Power dissipation: 3.4W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Case: PowerDI5060-8.

Інші пропозиції DMP4013SPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP4013SPS-13 Diodes Incorporated DMP4013SPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013SPS-13 DIODES INCORPORATED DMP4013SPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -244A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013SPS-13 DMP4013SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4013SPS-13 DMP4013SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -244A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.